Spectromètres de masse



Analyse de gaz de procédés sous vide pour CVD / MOCVD / ALCVD

Pour une information directe sur l'absorption et les taux de désorption des gaz.

L’étude de la cinétique de réaction ou la mesure de la composition des gaz sont d'une importance vitale dans le développement et le suivi des procédés de dépôt chimique en phase vapeur.

Solar panels

Equipements relatifs

HPR-30

HPR-20 QIC R&D

EQP

PSM

ESPion

Vue d'ensemble

Les domaines d'application sont notamment la croissance des revêtements durs, les cellules solaires, les diamants, DLC, les nitrures, les matériaux de type III-V et II-VI.

Les analyseurs de gaz et de plasma comprennent une technologie spéciale d'échantillonnage permettant une analyse de sensibilité élevée des espèces critiques dans la plupart des techniques CVD y compris CVD à filament chaud, CVD plasma, ALCVD et MOCVD.

Le SIMS est une technique d'analyse de surface haute sensibilité appliquée à la croissance des couches minces par CVD.

Vue d'ensemble

Les domaines d'application sont notamment la croissance des revêtements durs, les cellules solaires, les diamants, DLC, les nitrures, les matériaux de type III-V et II-VI.

Les analyseurs de gaz et de plasma comprennent une technologie spéciale d'échantillonnage permettant une analyse de sensibilité élevée des espèces critiques dans la plupart des techniques CVD y compris CVD à filament chaud, CVD plasma, ALCVD et MOCVD.

Le SIMS est une technique d'analyse de surface haute sensibilité appliquée à la croissance des couches minces par CVD.