Spectromètres de masse



Pour couches minces, plasma et élaboration de surfaces

HPR-30

Analyseur de gaz résiduels pour analyses de procédés sous vide

Mesure les gaz de procédés sous vide, les contaminations et la détection de fuites

Gamme de masse

200, 300 ou 510 amu

Mesure la composition des gaz de procédés sous vide

Oui

Mesure de contaminations et détection de fuites

Oui

Concentration minimale détectable

5 PPB

Pression d'échantillonage (Standard)

10-3 à 5 mbar

Pression d'échantillonage (Optionnel)

< 10-4 mbar

Vitesse de mesure

Jusqu'à 500 mesures par seconde

  

 

EQP

Pour l'analyse d'ions positifs ou négatifs, de neutres, ou de radicaux issus de procédés plasmas

Mesure de spectres de masse et de distribution d'énergie des ions, neutres, et radicaux dans les plasmas
EQP

Gamme de masse

300, 510, ou 1000 amu

Analyse d'ions

Ions positifs et négatifs

Analyse de neutres

Neutres et radicaux neutres

Pression de plasma (standard)

jusqu'à 0.5 mbar

Pression de plasma (options)

jusqu'à 2 mbar, 100 mbar et pression atmosphérique

options d'échantillonage

Electrodres DC et RF

Gamme d'analyse en énergie

100 eV ou 1000 eV

  
  
  

 

PSM

Analyseur en masse et énergie pour le diagnostic plasma

Mesure de spectres de masse pour les ions, neutres, et radicaux dans les plasmas
PSM

Gamme de masse

300 ou 510 amu

Analyse d'ion

ions positifs

Analyse d'ions - option

ions négatifs

Analyse de neutres

Neutres et radicaux neutres

Pression de plasma

jusqu'à 0.5 mbar

Gamme d'analyse en énergie

100 eV

  
  
  

 

ESPion

Sonde de Langmuir évoluée pour diagnostics plasma

Mesure des propriétes électriques des plasma basse pression
ESPion

Types de plasmas

Pour plasmas DC, RF, pulses ou ECR

Densite d'ions et d'électrons

1014 - 1019 m3

température électronique

jusqu'à 10 eV

Pression de plasma

jusqu'à 0.5 mbar

Option pour bras translateur

300, 600 ou 900 mm

  
  
  
  

 

XBS

Système pour l'analyse de plusieurs sources dans les applications de déposition MBE

Pour l'analyse de faisceaux d'ions et contrôle de la vitesse de dépot
XBS

Gamme de masse

320 ou 510 amu

Détermination du taux de croissance

inférieur à 0,01 Angstrom par seconde, dépendant des espèces

Source spécifique pour faisceaux d'ions croisés

+/-35o d'ouverture des faisceaux - modélisé en 3D

Données de sortie

Sorties analogiques en temps réel

Mode RGA - analyse de gaz résiduels

Détection de fuites et analyse du vide

  
  

 

IMP-EPD

Système pour le Contrôle de gravure ionique et qualite optimum du procédé

Détection de fin d'attaque pour gravure par plasma ou faisceau d'ions
IMP-EPD

Gamme de masse

300 ou 510 amu

Analyse de multicouches

Fin d'attaque à +/- 5 Angstrom

Haute sensibilité

Opére avec des wafers couverts à 99.9%

Automatisé

Recettes d'automatisation intégrées

Comptage de couches

Oui

Fin d'attaque sur interface sélectionnée

Oui

Fin d'attaque sur multicouche

Oui

Mode RGA - analyse de gaz résiduels

détection de fuite et analyse du vide

  

 

TPD Workstation

Système pour études de désorption programmée en désorption UHV (TPD/TDS)

Mesure de désorption programmée en température pour couches minces
TPD Workstation

Gamme de masse

300 ou 510, ou 1000 amu

Poste échantillon chauffant

Ambient à 1000oC

Vitesse de rampe

20 - 40 oC par minute

Detecteur

Compteur d'ions (PIC)

affichage en temps réel 3D

Oui

Vues de données multiples

Oui

Intégration de pics et déconvolution

Oui

Soustraction de background

Oui

Chambre sous vide multi ports

Oui

Permet l'adaptation d'instrumentation supplémentaire

Oui (comme l'ellipsométrie)

Vitesse de mesure

Jusqu'à 500 mesures par seconde

Taille d'échantillon

~ 10mm x 10mm

 

SIMS/SNMS Workstation

Une conception avancée pour l'analyse de surfaces

Pour une caractérisation rapide et facile de la structure de couches, contamination de surface et impuretés
SIMS Workstation

Gamme de masse

300, 510 ou 1000 amu

Concentration minimale détectable

Analyse de contamination au niveau PPM/PPB

SIMS - Spectrométrie de masse d'ions secondaires

Oui

Analyse des ions produits par la surface

Oui (ions primaires d'oxygène, d'argon ou of oxygen, argon or césium)

SIMS - Spectrométrie de masse d'ions secondaires

Oui

Analyse des ions produits par la surface

Oui (ions primaires d'oxygène, d'argon ou of oxygen, argon or césium)

Résolution en épaisseur

+/- 5 nanomètres

Concentration minimale détectable - SIMS

1016 atomes par centimètre cube - dépendant des espèces

Concentration minimale détectable - SNMS

0.01% - dépendant des espèces

Chambre UHV multiports

Oui

Permet l'adaptation d'instrumentation supplémentaire

Oui (XPS)

 

Compact SIMS

Système d'analyse UHV pour profilage de couches minces

Mesure la composition de surface des premiers nanomètres ou micromètres

Gamme de masse

50, 300, 510 ou 1000 amu

Concentration minimale détectable

ppm

SIMS - Spectrométrie de masse d'ions secondaires

Oui

Analyse des ions produits par la surface

Oui (ions primaires d'oxygène ou argon)

SNMS - Spectrométrie de masse d'ions secondaires

Oui

Analyse des ions produits par la surface

Oui (ions primaires d'oxygène ou argon)

Résolution en épaisseur

3 nm

Concentration minimale détectable - SIMS

1017 atomes cm-3

Concentration minimale détectable - SNMS

1%

Chambre UHV multiports

Chambre à geometrie fixée facile d'accés

Instruments supplémentaires

Non

 

EQS

Analyseur SIMS

Utilisé avec un système SIMS ou FIB-SEM - fournit une analyse de composition de surface et un cartographie des éléments
EQS

Gamme de masse

300, 510 ou 1000 amu

Analyse d'ions

Ions positifs et négatifs

Analyses d'énergie d'ions

100eV, 1000eV option,

sensibilité

> 106 comptage/second par nanoamp pour Aluminium

Mode RGA - analyse de gaz résiduels

Détection de fuite et analyse du vide

SIMS - Spectrométrie de masse d'ions secondaires

Oui

Analyse des ions produits par la surface

Oui (ions primaires d'oxygen, argon ou césium)

Microscopie FIB-SEM - SIMS

Oui

Compatible avec microscope a faisceau électronique finement focalisé

Oui (comme le FIB-SEM Zeiss Auriga 60)

  

 

MAXIM

Analyseur SIMS/SNMS

Utilisé avec un système SIMS/SNMS - permet l'analyse de composition de surface ainsi que le cartographie des élements
MAXIM

Gamme de masse

300, 510 ou 1000 amu

Analyse d'ions

Ions positifs et negatifs

Analyses d'énergie d'ions

100 eV

Sensibilité

> 106 comptage/second par nanoamp pour Aluminium

SIMS - Spectrométrie de masse d'ions secondaires

Oui

Analyse des ions produits par la surface

Oui (ions primaires d'oxygène, argon ou césium)

SNMS - Spectrométrie de masse d'ions secondaires

Oui

Analyse des ions produits par la surface

Oui (ions primaires d'oxygène, argon ou césium)

Mode RGA - analyse de gaz résiduels

Détection de fuite et analyse du vide

  

 

IG5C

Canon à ions au Cesium de 5keV pour les applications d'analyse de surfaces

Source d'ions primaires pour SIMS/SNMS et cartographie des élements d'espèces électronégatives
IG-5C

Ions primaires

Cs+

Energie d'ions

0.5 à 5.0 KeV

Diamètre de spot minimum

20 micromètres

Champ de déflection pour la cartographie

+/- 4 millimètres

Courant de faisceau d'ions

0.1 à 150 nA

Taux de gravure maximum

30 nm/min pour une cible en silicium

  
  

 

IG20

Canon à ions de 5keV Argon ou Oxygene pour l'analyse de surface en UHV

Source d'ions primaires pour SIMS/SNMS et cartographie des élements d'espèces électronégative
IG-20

Ions primaires

Oxygène, Argon, Xenon

Energie d'ions

0.5 à 5 KeV

Taille minimale du spot (cartographie des élements)

50 micromètres

Taille minimale du spot (Profilage en épaisseur)

100 micromètres

Champ de déflection pour la cartographie

+/- 4 millimètres

Courant de faisceaux d'ions

1.0 à 800 nanoampères

Taux de gravure rapide typiques - Si (5keV Ar 600nA)

50nm/s, cratère de 450um x 650um